一、總體要求
“半導(dǎo)體物理”要求學生熟練掌握半導(dǎo)體的相關(guān)基礎(chǔ)理論,了解半導(dǎo)體性質(zhì)以及受外界因素的影響及其變化規(guī)律。重點掌握半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和帶、半導(dǎo)體中的雜質(zhì)和缺陷能級、半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計分布、半導(dǎo)體的導(dǎo)電性、半導(dǎo)體中的非平衡載流子等相關(guān)知識、基本概念及相關(guān)理論,掌握半導(dǎo)體中載流子濃度計算、電阻(導(dǎo))率計算以及運用連續(xù)性方程解決載流子濃度隨時間或位置的變化及其分布規(guī)律的計算等。
二、知識要點
(一)半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)和缺陷
半導(dǎo)體的分類及其特點,半導(dǎo)體的性質(zhì)及導(dǎo)電能力對外界因素的依賴性,半導(dǎo)體化學鍵的性質(zhì)和半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu),金剛石與閃鋅礦結(jié)構(gòu)的特點及其各向異性。
?。ǘ┌雽?dǎo)體中的電子狀態(tài)
半導(dǎo)體中電子狀態(tài)與能帶,半導(dǎo)體中的電子運動與有效質(zhì)量,空穴,回旋共振原理與作用,Si的回旋共振實驗結(jié)果,常用元素半導(dǎo)體和典型化合物半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)。
(三)半導(dǎo)體中雜志和缺陷能級
半導(dǎo)體中的雜質(zhì)和缺陷,元素半導(dǎo)體中的雜質(zhì)和缺陷能級,化合物半導(dǎo)體中的雜質(zhì)能級、位錯和缺陷能級。
?。ㄋ模┌雽?dǎo)體中載流子的統(tǒng)計分布
狀態(tài)密度,分布函數(shù)、Fermi能級,載流子統(tǒng)計分布,本征和雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度,補償半導(dǎo)體的載流子濃度,簡并半導(dǎo)體
?。ㄎ澹┌雽?dǎo)體的導(dǎo)電性
載流子的漂移運動,遷移率,載流子的散射,遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系,電阻率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系,強場效應(yīng)與熱載流子
?。┓瞧胶廨d流子
非平衡狀態(tài),非平衡載流子的產(chǎn)生與復(fù)合,非平衡載流子壽命,準費米能級,復(fù)合理論,陷阱效應(yīng),非平衡載流子載流子的擴散與漂移,愛因斯坦關(guān)系,連續(xù)性方程
三、考試形式
1、考試時間:180分鐘。
2、試卷分值:150分。
3、考試方式:閉卷考試。
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